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GT55N06D5

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT55N06D5

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (4.9x5.75)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

Menge:

Auf Lager : 5001 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.76

$0.76
10

$0.6555

$6.555
100

$0.45372

$45.372
500

$0.37908

$189.54
1000

$0.32262

$322.62
2000

$0.28733

$574.66

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)	70W (Ta)
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1988 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53A (Ta)

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