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630AT

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

630AT

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

Menge:

Auf Lager : 63 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.8265

$0.8265
10

$0.71725

$7.1725
100

$0.49656

$49.656
500

$0.41488

$207.44
1000

$0.35309

$353.09
2000

$0.31447

$628.94
5000

$0.29792

$1489.6
10000

$0.27586

$2758.6

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)

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