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G12P10TE

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G12P10TE

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT

Menge:

Auf Lager : 75 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.722

$0.722
10

$0.6232

$6.232
100

$0.43177

$43.177
500

$0.36077

$180.385
1000

$0.30704

$307.04
2000

$0.27345

$546.9
5000

$0.25906

$1295.3
10000

$0.23987

$2398.7

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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