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GT52N10D5

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT52N10D5

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (5.2x5.86)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

Menge:

Auf Lager : 15080 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.425

$1.425
10

$1.1875

$11.875
100

$0.94487

$94.487
500

$0.7995

$399.75
1000

$0.67836

$678.36
2000

$0.64445

$1288.9

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	79W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (5.2x5.86)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2626 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	71A (Tc)

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