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GT110N06D3

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT110N06D3

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (3.15x3.05)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

Menge:

Auf Lager : 9893 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.684

$0.684
10

$0.5928

$5.928
100

$0.41021

$41.021
500

$0.34274

$171.37
1000

$0.29168

$291.68
2000

$0.25978

$519.56

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	GT
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (3.15x3.05)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1059 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)

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