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GT10N10

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT10N10

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-252

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.

Menge:

Auf Lager : 4483 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.4465

$0.4465
10

$0.38475

$3.8475
100

$0.26742

$26.742
500

$0.20882

$104.41
1000

$0.16973

$169.73

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	GT
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	17W (Tc)
Supplier Device Package	TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	206 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)

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