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GT105N10T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT105N10T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

Menge:

Auf Lager : 220 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.235

$1.235
10

$1.0108

$10.108
100

$0.78584

$78.584
500

$0.66608

$333.04
1000

$0.5426

$542.6
2000

$0.51079

$1021.58
5000

$0.48646

$2432.3
10000

$0.46401

$4640.1

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	74W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	55A (Tc)

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