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GT100N12T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT100N12T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

Menge:

Auf Lager : 198 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4725

$1.4725
10

$1.22265

$12.2265
100

$0.97289

$97.289
500

$0.82325

$411.625
1000

$0.69851

$698.51
2000

$0.66359

$1327.18
5000

$0.63864

$3193.2
10000

$0.6175

$6175

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	120W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3050 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)

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