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GT100N12K

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT100N12K

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-252

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

Menge:

Auf Lager : 2500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.52

$1.52
10

$1.2407

$12.407
100

$0.96472

$96.472
500

$0.81774

$408.87
1000

$0.66614

$666.14

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Supplier Device Package	TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2911 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)

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