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GT100N04D3

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT100N04D3

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (3.15x3.05)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5

Menge:

Auf Lager : 4939 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.38

$0.38
10

$0.323

$3.23
100

$0.22448

$22.448
500

$0.17529

$87.645
1000

$0.14248

$142.48
2000

$0.12737

$254.74

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	23W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (3.15x3.05)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	642 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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