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GT045N10T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT045N10T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V

Menge:

Auf Lager : 63 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.672

$1.672
10

$1.387

$13.87
100

$1.1039

$110.39
500

$0.93407

$467.035
1000

$0.79254

$792.54
2000

$0.75292

$1505.84
5000

$0.72461

$3623.05
10000

$0.70062

$7006.2

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4198 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	150A (Tc)

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