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GT045N10D5

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT045N10D5

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (4.9x5.75)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	180W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4217 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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