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GT035N06T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT035N06T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V

Menge:

Auf Lager : 148 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.843

$1.843
10

$1.5276

$15.276
100

$1.21619

$121.619
500

$1.02905

$514.525
1000

$0.87314

$873.14
2000

$0.82949

$1658.98
5000

$0.7983

$3991.5
10000

$0.77187

$7718.7

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	215W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5064 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)

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