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GT025N06AT

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT025N06AT

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2

Menge:

Auf Lager : 99 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.6435

$1.6435
10

$1.368

$13.68
100

$1.08889

$108.889
500

$0.9214

$460.7
1000

$0.7818

$781.8
2000

$0.74271

$1485.42
5000

$0.71479

$3573.95
10000

$0.69112

$6911.2

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	215W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4954 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)

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