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GT013N04TI

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT013N04TI

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5

Menge:

Auf Lager : 76 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.406

$1.406
10

$1.15045

$11.5045
100

$0.89499

$89.499
500

$0.75865

$379.325
1000

$0.618

$618
2000

$0.58178

$1163.56
5000

$0.55406

$2770.3
10000

$0.5285

$5285

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	90W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3986 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	220A (Tc)

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