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GT011N03D5E

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GT011N03D5E

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (4.9x5.75)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.501

$1.501
10

$1.2255

$12.255
100

$0.95304

$95.304
500

$0.80784

$403.92
1000

$0.65807

$658.07
2000

$0.61949

$1238.98

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Power Dissipation (Max)	89W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6503 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	209A (Tc)

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