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GC20N65T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GC20N65T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

Menge:

Auf Lager : 85 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.5935

$2.5935
10

$2.1774

$21.774
100

$1.76168

$176.168
500

$1.5659

$782.95
1000

$1.3408

$1340.8
2000

$1.26251

$2525.02
5000

$1.21125

$6056.25

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	151W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1724 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)

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