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GC11N65M

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GC11N65M

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-263

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

Menge:

Auf Lager : 778 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.6435

$1.6435
10

$1.36325

$13.6325
100

$1.08518

$108.518

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	768 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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