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GC11N65F

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GC11N65F

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220F

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

Menge:

Auf Lager : 145 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.558

$1.558
10

$1.29295

$12.9295
100

$1.02904

$102.904
500

$0.87075

$435.375
1000

$0.73881

$738.81
2000

$0.70187

$1403.74
5000

$0.67548

$3377.4
10000

$0.65312

$6531.2

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	31.3W
Supplier Device Package	TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	901 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A

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