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GC11N65D5

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

GC11N65D5

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (4.9x5.75)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4

Menge:

Auf Lager : 3155 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5865

$1.5865
10

$1.3167

$13.167
100

$1.04775

$104.775
500

$0.88657

$443.285
1000

$0.75224

$752.24
2000

$0.71463

$1429.26

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	G
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	901 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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