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G900P15T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G900P15T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH

Menge:

Auf Lager : 94 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.444

$1.444
10

$1.1989

$11.989
100

$0.95418

$95.418
500

$0.80742

$403.71
1000

$0.68508

$685.08
2000

$0.65083

$1301.66
5000

$0.62636

$3131.8
10000

$0.60562

$6056.2

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3932 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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