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G7K2N20HE

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G7K2N20HE

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

SOT-223

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2

Menge:

Auf Lager : 1265 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.4655

$0.4655
10

$0.3629

$3.629
100

$0.21764

$21.764
500

$0.20149

$100.745
1000

$0.13701

$137.01

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	568 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)

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