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G60N10T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G60N10T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30

Menge:

Auf Lager : 186 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4915

$1.4915
10

$1.2179

$12.179
100

$0.94705

$94.705
500

$0.80271

$401.355
1000

$0.6539

$653.9
2000

$0.61557

$1231.14
5000

$0.58625

$2931.25
10000

$0.55919

$5591.9

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	160W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3970 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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