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G60N10K

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G60N10K

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-252

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V

Menge:

Auf Lager : 2500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.9215

$0.9215
10

$0.75145

$7.5145
100

$0.58434

$58.434
500

$0.49529

$247.645
1000

$0.40346

$403.46

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	56W (Tc)
Supplier Device Package	TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4118 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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