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G50N03J

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G50N03J

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-251

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

Menge:

Auf Lager : 3827 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.57

$0.57
10

$0.49305

$4.9305
100

$0.34114

$34.114
500

$0.28501

$142.505
1000

$0.24256

$242.56
2000

$0.21603

$432.06
5000

$0.20465

$1023.25
10000

$0.1895

$1895
50000

$0.18762

$9381

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	48W (Tc)
Supplier Device Package	TO-251
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1255 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)

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