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G2012

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G2012

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

6-DFN (2x2)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18

Menge:

Auf Lager : 2994 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.38

$0.38
10

$0.323

$3.23
100

$0.22448

$22.448
500

$0.17529

$87.645
1000

$0.14248

$142.48

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±10V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Tc)
Supplier Device Package	6-DFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1255 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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