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G1K3N10G

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G1K3N10G

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

SOT-89

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,

Menge:

Auf Lager : 790 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4725

$1.4725
10

$1.22265

$12.2265
100

$0.97289

$97.289
500

$0.82325

$411.625

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-243AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Tc)
Supplier Device Package	SOT-89
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	644 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)

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