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G12P03D3

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G12P03D3

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

8-DFN (3.15x3.05)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

Menge:

Auf Lager : 7557 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.57

$0.57
10

$0.4883

$4.883
100

$0.33924

$33.924
500

$0.26489

$132.445
1000

$0.2153

$215.3
2000

$0.19248

$384.96

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Supplier Device Package	8-DFN (3.15x3.05)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1253 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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