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G050P03T

Goford Semiconductor

Hersteller Teil #:

G050P03T

Hersteller:

Goford Semiconductor

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1

Menge:

Auf Lager : 50 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.1115

$1.1115
10

$0.9063

$9.063
100

$0.70528

$70.528
500

$0.59777

$298.885
1000

$0.48695

$486.95
2000

$0.4584

$916.8
5000

$0.43657

$2182.85
10000

$0.41642

$4164.2

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Datencode

Mfr	Goford Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6922 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	85A (Tc)

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