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TP65H070LDG-TR

Transphorm

Hersteller Teil #:

TP65H070LDG-TR

Hersteller:

Transphorm

Paket:

3-PQFN (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650 V 25 A GAN FET

Menge:

Auf Lager : 1230 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$11.9225

$11.9225
10

$10.4994

$104.994
100

$9.08038

$908.038

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Datencode

Mfr	Transphorm
Series	TP65H070L
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	3-PowerDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Supplier Device Package	3-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)

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