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TP65H300G4LSG-TR

Transphorm

Hersteller Teil #:

TP65H300G4LSG-TR

Hersteller:

Transphorm

Paket:

3-PQFN (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

Menge:

Auf Lager : 6707 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.351

$4.351
10

$3.65085

$36.5085
100

$2.95336

$295.336
500

$2.62519

$1312.595
1000

$2.24782

$2247.82

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Datencode

Mfr	Transphorm
Series	-
Package	Cut Tape (CT)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±18V
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	3-PowerDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Base Product Number	TP65H300
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max)	21W (Tc)
Supplier Device Package	3-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)

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