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SPS01N60C3

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SPS01N60C3

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO251-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Base Product Number	SPS01N
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max)	11W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA (Tc)

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