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BSC882N03LS G

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC882N03LS G

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

702

$0.4085

$286.767

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™3 M
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	-
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-6
Drain to Source Voltage (Vdss)	34 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3700 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-

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