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SPP11N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SPP11N80C3XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Menge:

Auf Lager : 7197 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.002

$3.002
10

$2.69895

$26.9895
100

$2.2115

$221.15
500

$1.88265

$941.325
1000

$1.58778

$1587.78
2000

$1.50839

$3016.78
5000

$1.45168

$7258.4

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA
Base Product Number	SPP11N80
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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