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SPB80P06PGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SPB80P06PGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 107 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.104

$4.104
10

$3.4466

$34.466
100

$2.78853

$278.853
500

$2.47874

$1239.37

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	SIPMOS®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Base Product Number	SPB80P06
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max)	340W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5033 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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