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SPB11N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SPB11N60C3ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 5586 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.667

$3.667
10

$3.29555

$32.9555
100

$2.70047

$270.047
500

$2.29884

$1149.42

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Base Product Number	SPB11N60
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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