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SI4420DY

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SI4420DY

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.5A (Ta)

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