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IRL40S212ARMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRL40S212ARMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 16000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.5365

$2.5365
10

$2.10995

$21.0995
100

$1.67941

$167.941

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®, StrongIRFET™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 150µA
Base Product Number	IRL40S212
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	231W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	137 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8320 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	195A (Tc)

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