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IRFSL3206PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRFSL3206PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-262

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 120A TO262

Menge:

Auf Lager : 2000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.66

$2.66
10

$2.3864

$23.864
100

$1.95557

$195.557
500

$1.66476

$832.38
1000

$1.40401

$1404.01
2000

$1.33381

$2667.62
5000

$1.28366

$6418.3

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Base Product Number	IRFSL3206
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	TO-262
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6540 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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