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IRFHM830TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRFHM830TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-PQFN-Dual (3.3x3.3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

Menge:

Auf Lager : 8648 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.855

$0.855
10

$0.7619

$7.619
100

$0.59413

$59.413
500

$0.49077

$245.385
1000

$0.38744

$387.44
2000

$0.36161

$723.22

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Base Product Number	IRFHM830
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Supplier Device Package	8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2155 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)

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