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IRFH5210TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRFH5210TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-PQFN (5x6)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

Menge:

Auf Lager : 1437 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5105

$1.5105
10

$1.2388

$12.388
100

$0.96358

$96.358
500

$0.81671

$408.355
1000

$0.6653

$665.3
2000

$0.6263

$1252.6

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Base Product Number	IRFH5210
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2570 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 55A (Tc)

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