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IRFB4110PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRFB4110PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 6339 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.123

$4.123
10

$3.70215

$37.0215
100

$3.03335

$303.335
500

$2.58219

$1291.095
1000

$2.17776

$2177.76
2000

$2.06887

$4137.74

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFB4110
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)	370W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9620 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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