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IRF8113TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF8113TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

Menge:

Auf Lager : 1900 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.855

$0.855
10

$0.75525

$7.5525
100

$0.57893

$57.893
500

$0.45767

$228.835
1000

$0.36614

$366.14
2000

$0.33182

$663.64

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	IRF8113
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2910 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.2A (Ta)

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