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IRF8010PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF8010PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 1496 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.995

$1.995
10

$1.65585

$16.5585
100

$1.31793

$131.793
500

$1.11518

$557.59
1000

$0.94621

$946.21
2000

$0.8989

$1797.8
5000

$0.86511

$4325.55
10000

$0.83647

$8364.7

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRF8010
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max)	260W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3830 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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