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IRF5803D2PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF5803D2PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	FETKY™
Package	Tube
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.4A (Ta)

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