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IRF3709PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF3709PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB

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Land

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 120W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2672 pF @ 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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