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IRF3703PBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF3703PBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 2690 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.173

$3.173
10

$2.6657

$26.657
100

$2.15659

$215.659
500

$1.917

$958.5
1000

$1.64143

$1641.43
2000

$1.54558

$3091.16
5000

$1.48283

$7414.15

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRF3703
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 230W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8250 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	210A (Tc)

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