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IRF200B211

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF200B211

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 34 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.007

$1.007
10

$0.8968

$8.968
100

$0.6991

$69.91
500

$0.57754

$288.77
1000

$0.45595

$455.95
2000

$0.42556

$851.12
5000

$0.40428

$2021.4
10000

$0.38908

$3890.8

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®, StrongIRFET™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Base Product Number	IRF200
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	80W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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