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IRF1018EPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF1018EPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 2241 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.159

$1.159
10

$1.03455

$10.3455
100

$0.80683

$80.683
500

$0.6665

$333.25
1000

$0.52618

$526.18
2000

$0.49111

$982.22
5000

$0.46655

$2332.75
10000

$0.44901

$4490.1

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Base Product Number	IRF1018
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2290 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	79A (Tc)

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