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IRF1010EPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF1010EPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 3524 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.33

$1.33
10

$1.0906

$10.906
100

$0.84854

$84.854
500

$0.7192

$359.6
1000

$0.58586

$585.86
2000

$0.55152

$1103.04
5000

$0.52525

$2626.25
10000

$0.50102

$5010.2

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRF1010
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3210 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	84A (Tc)

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